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N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 1. Output Characteristics
V GS
IRF530A
Fig 2. Transfer Characteristics
Top :
15V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
10 1
10 1
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
10 0
175 o C
25 o C
@ Notes :
10
0
@ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 o C
- 55 o C
1. V GS = 0 V
2. V DS = 40 V
3. 250 μ s Pulse Test
10 -1
10 0
10 1
10 -1
2
4
6
8
10
0.20
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
0.15
0.10
V GS = 10 V
V GS = 20 V
10 1
10 0
0.05
@ Notes :
175 o C
1. V GS = 0 V
@ Note : T J = 25 o C
25 o C
2. 250 μ s Pulse Test
0.00
0
15
30
45
60
10 -1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
1000
I D , Drain Current [A]
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
C iss = C gs + C gd ( C ds = shorted )
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
750
C iss
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
V DS = 20 V
V DS = 50 V
V DS = 80 V
C oss
500
@ Notes :
5
250
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
@ Notes : I D = 14.0 A
0 0
10
10 1
0
0
5
10
15
20
25
30
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
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